GaN और LDMOS के हस्तक्षेप प्रभाव असंगत हैं। मुख्य अंतर शक्ति, अतिरिक्त दक्षता, रैखिकता, आवृत्ति विशेषताओं और नकली दमन क्षमताओं में अंतर से उत्पन्न होते हैं, जिसके परिणामस्वरूप ड्रोन काउंटरमेशर्स जैसे रेडियो फ्रीक्वेंसी हस्तक्षेप परिदृश्यों में परिदृश्य अनुकूलन क्षमता में महत्वपूर्ण अंतर होता है।
विशिष्ट हस्तक्षेप परिदृश्य और अनुकूलन अनुशंसाएँ
ड्रोन प्रतिउपाय (मल्टी-बैंड, उच्च-आवृत्ति, उच्च-शक्ति)
पसंदीदा GaN: वाइडबैंड कवरेज (2.4जी/5.8जी/सैटेलाइट नेविगेशन), उच्च दक्षता जिसके परिणामस्वरूप लंबे समय तक निरंतर हस्तक्षेप होता है, और डीपीडी के साथ अनुकूलित रैखिकता, पोर्टेबल/वाहन पर लगे उपकरणों के लिए उपयुक्त है।
सेकेंडरी एलडीएमओएस: 2.4जी जैसे कम {0}आवृत्ति बैंड में क्लीनर नैरोबैंड हस्तक्षेप प्रदान करता है, जो निश्चित साइट परिनियोजन और कम लागत के लिए उपयुक्त है।
संचार दमन (नैरोबैंड, कम नकली उत्सर्जन)
पसंदीदा एलडीएमओएस: रैखिकता लाभ आसन्न चैनल हस्तक्षेप को कम करता है, निगरानी और स्थित होने के जोखिम को कम करता है, उच्च अनुपालन आवश्यकताओं वाले परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है।
लागत-संवेदनशील/निम्न-से-मध्यम शक्ति
पसंदीदा एलडीएमओएस: परिपक्व प्रौद्योगिकी, 30% कम लागत, सरल रखरखाव, कम से मध्यम बिजली हस्तक्षेप नोड्स की बड़े पैमाने पर तैनाती के लिए उपयुक्त।
गणना उदाहरण (हस्तक्षेप प्रभाव में अंतर की मात्रा निर्धारित करना)
100W की इनपुट शक्ति मानते हुए, PAE: GaN 65%, LDMOS 55%, तो:
GaN आउटपुट पावर: 100W ÷ (1-65%) × 65% ≈ 185.7W
एलडीएमओएस आउटपुट पावर: 100W ÷ (1-55%) × 55% ≈ 122.2W
निष्कर्ष: समान इनपुट के तहत, GaN में लगभग 52% अधिक हस्तक्षेप शक्ति और व्यापक कवरेज क्षेत्र है।
कार्यान्वयन संबंधी विचार
GaN सिस्टम: DPD रैखिककरण, समय पर नियंत्रण पर सख्त शक्ति, और कुशल थर्मल प्रबंधन आवश्यक हैं; अन्यथा, नकली/विश्वसनीयता मुद्दे आसानी से हस्तक्षेप प्रभावशीलता को प्रभावित कर सकते हैं।
एलडीएमओएस सिस्टम: हार्ड कंप्रेशन विशेषताओं का उपयोग रैखिककरण डिजाइन को सरल बनाता है, कम आवृत्ति अनुकूलन पर ध्यान केंद्रित करता है, लागत और गर्मी अपव्यय को नियंत्रित करता है, और बड़े पैमाने पर तैनाती के लिए उपयुक्त है।